特點
- 晶粒尺寸可對應0.25~5.0 mm
- 適用化合物半導體 SiC, GaN, InP
機台優勢
- 可依照需求或因應製程良率改變不同的劈裂模式
- 自動對焦
- 多重擊錘
- 受台輔助光
- 上視 CCD：由上往下做晶圓取像
作業方式
全自動
設備規格
| 設備尺寸 | 1790 × 1845 × 2332 mm ( Ｗ×Ｄ×Ｈ )（含塔燈） |
|---|---|
| 設備重量 | 1550 kg |
| 電源ＡＣ | 單相 220 V 50 ∕ 60HZ |
| 空氣源 | 5 Kgf ∕ cm2 |
設備應用範圍
| 晶圓尺寸 | 2吋~ 8吋 |
|---|---|
| 鐵環尺寸 | 12吋 |
機台特性
Y 軸自動對位
可設定每刀自動對位或任意刀對位一次
Θ 軸校正 + Y 對位
可設定每刀自動執行或任意刀執行一次
專利壓制機構及各式專利劈裂模式
壓制晶圓，降低晶圓翹曲，提升劈裂良率
自動搜尋晶圓邊界
自動搜尋晶圓邊界，精對位由單X軸加快搜尋時間
*網站資訊僅供參考，實際設備規格依雙方交易中規格書載明內容為主。
